[发明专利]消除在W插塞内的空隙的方法无效
| 申请号： | 02821997.X | 申请日： | 2002-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1582345A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | M·V·恩戈;E·佩顿 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | C25D5/50 | 分类号： | C25D5/50;H01L21/20;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过以W(202)填充介电层(200)内的开口和进行激光加温退火(30)以除去或显著减少空隙(203)，从而形成可靠的触点/通孔。实施方案包括沉积W(202)以填充介电层(200)内的触点/通孔开口，在N2中实施激光加温退火(30)以提升填充在该触点/通孔开口的W的温度以及回流W从而除去空隙(203)。实施方案包括在实施激光加温退火前或后进行CMP。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 插塞内 空隙 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在介电层(200)上形成开口；在所述开口上沉积钨(W)(202)；以及对该沉积的W进行激光加温退火(30)。
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