[发明专利]基于激光辐射较高模的光子带隙晶体调解过滤效应的半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 02822033.1 | 申请日： | 2002-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1701476A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | V·施丘金;N·莱登斯托夫 | 申请（专利权）人： | PBC激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 公开了一种具有低光束发散的半导体激光器。该激光器包括：至少一个波导，该波导包括由电流注入产生光增益的激活层；光子带隙晶体，其在垂直于发射的光传播的方向上具有折射系数调制；和至少一个缺陷。优选在缺陷内放置激活层。使光子带隙晶体和缺陷最优化，以使激光辐射的基模被局限在缺陷处并从缺陷衰减掉，同时其它光模在光子带隙晶体上延伸。在缺陷处基模的局限导致该模幅度相对于其它模相对提高。因此，与其它模的限制因子相比具有较大的基模限制因子。这产生了来自具有延伸波导的激光器的有效单模激光作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 辐射 较高模 光子 晶体 调解 过滤 效应 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体边缘发射激光器，包括：a)n掺杂区，其至少一部分包括包含具有周期性调制的折射系数的层叠结构的光子带隙晶体；b)邻接所述光子带隙晶体的缺陷，包括：i)当施加正向偏压受到注入电流作用时而发光的发光层；c)具有可变折射系数的阻碍基模延伸到至少一个掺杂层和p接触的p掺杂层叠结构；其中由缺陷局限激光辐射的基模，同时所有其它模在光子带隙晶体上延伸；其中所述光子带隙晶体和所述缺陷的总厚度提供低光束发散。
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