[发明专利]存储结构的电极、方法和设备无效
申请号: | 02822099.4 | 申请日: | 2002-11-08 |
公开(公告)号: | CN1582481A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | H·G·古德森;G·I·莱斯塔德 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22;H01L21/8239 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;梁永 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 在一种电极装置中,该电极装置包括在各层中具有电极(ε)的第一和第二薄膜电极层(L1,L2),该电极为平行条状形式的电导体,提供仅由电绝缘材料的的薄膜(6)分开的电极(ε),电绝缘材料的薄膜的厚度最多为电极宽度的一部分并且至少沿其侧边延伸并在其间形成绝缘壁(6a)。电极层(L1,L2)被平面化以获得非常平的表面。在包括一个或多个电极装置(EM)的设备中,每个的电极层(L1,L2)以其各自的电极(1;2)以一角度相交而相互取向,优选正交,并整体提供功能介质(3)夹在其间,以便获得优选无源矩阵可寻址设备并将其用作例如包括形式例如分别为逻辑单元或存储单元的可独立寻址功能元件(5)的矩阵可寻址数据处理装置或矩阵可寻址数据存储装置,其在整体功能介质(3)中的填充因数接近一并且该设备中单元的最大数目约为A/f2,其中A为夹在电极层(L1,L2)之间的整体功能介质(3)的面积,而f是受工艺约束的最小特征值。 | ||
搜索关键词: | 存储 结构 电极 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种电极装置(EM),包括在备层中具有电极(ε)的第一和第二薄膜电极层(L1,L2),该电极为平行条状形式的电导体,其中第二电极层(L2)的电极(ε)定向为与第一层(L1)的电极(ε)交叉或基本正交,其中至少一个电极层(L1;L2)设置在衬底或底板(7,7’)的绝缘表面上,并且其中各电极层(L1,L2)设置在分隔开的平行平面中与其间的由功能介质构成的整体设置层(3)接触,其特征在于:每个薄膜电极层(L1,L2)包括由具有宽度wa和厚度ha的所述条状电极(εa)构成的第一组(Ea),该第一组(Ea)的电极(εa)通过等于或大于wa的间距d相互隔开,由具有宽度wb和厚度hb的所述条状电极(εb)构成的第二组(Eb),设置在第一组(Ea)电极(εa)之间的间隔中并通过由电绝缘材料构成的、具有厚度δ的薄膜(6)与其电绝缘,该薄膜至少沿着平行电极(εa,εb)的侧边延伸,并在它们之间形成厚度为δ的绝缘壁(6a),δ的值比wa或wb的值都小,第一组(Ea)各电极(εa)之间的间隔间距d为wb+2δ,并且具有电极(ε)和绝缘层(6)的各电极层(L1,L2)分别在电极装置(EM)中形成整体平面层。
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