[发明专利]数字磁存储单元装置交换耦合层系统之均质磁化方法无效
| 申请号： | 02822375.6 | 申请日： | 2002-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1630921A | 公开（公告）日： | 2005-06-22 |
| 发明（设计）人： | H·布雷克;U·克洛斯特曼恩;J·维克 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01F41/30 | 分类号： | H01F41/30;H01F10/32;G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明系关于一种均质磁化数字磁存储位置装置交换耦合层系统的方法，其包括AAF(仿反铁磁))层系统及交换耦合该AAF层系统层的反铁磁层之使用。当该反铁磁层的磁化方向被决定时，该AAF层系统的该磁性层于磁场饱和及之后，该反铁磁层磁化的方向及该饱和磁场的方向彼此的方向被改变，由此系在相对于彼此为0度＜α＜180度的角度α，于是该饱和磁场被关闭。 | ||
| 搜索关键词： | 数字 存储 单元 装置 交换 耦合 系统 磁化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种均质磁化数字磁存储单元装置交换耦合层系统之方法，其包括AAF层系统及交换耦合该AAF层系统层的反铁磁层，其特征在于已知该反铁磁层的磁化之经订定方向，该AAF层系统的该磁性层于磁场被饱和及之后，该反铁磁层磁化的方向之位置及该饱和磁场彼此的方向被改变，故它们系在相对于彼此为0°＜α＜180°的角度α，之后该饱和磁场被关闭。
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