[发明专利]存储器件

摘要

一种存储器件包括多个存储单元、第一MOSFET、电阻器件与第二MOSFET。多个存储单元以矩阵进行排列，并且多个存储单元的每个连接到字线与位线，并且具有存储电容。第一MOSFET在衬底上形成，并且第一MOSFET的源极区域连接到所述位线，其中的栅极连接到所述字线，并且其中的漏极区域连接到存储电容。第二MOSFET具有与所述衬底电隔离的沟道区域。第二MOSFET的源极区域通过电阻器件连接到第一电压，并且所述源极区域连接到第一MOSFET的漏极区域。第二MOSFET的栅极连接到第二电压，并且第二MOSFET的漏极区域连接到第三电压。

主权项

1.一种存储器件，包括：以矩阵进行排列的多个存储单元，其中所述多个存储单元的每个连接到字线与位线，并且具有存储电容；在衬底上形成的第一MOSFET，其中所述第一MOSFET的源极区域连接到所述位线，其栅极连接到所述字线，并且其漏极区域连接到所述存储电容；电阻器件；第二MOSFET，其具有沟道区域，并且与所述衬底电隔离，其中所述第二MOSFET的源极区域通过所述电阻器件连接到第一电位，并且所述源极区域连接到所述第一MOSFET的所述漏极区域，所述第二MOSFET的栅极连接到第二电位，并且所述第二MOSFET的漏极区域连接到第三电位。