[发明专利]从单晶体表面清除非晶体氧化物无效
| 申请号： | 02822575.9 | 申请日： | 2002-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN1695225A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 小约翰·L·爱德华兹;魏毅;德克·C·乔丹;胡晓明;詹姆斯·布拉德利·卡拉格;拉文卓纳斯·朱帕德;于志亦;亚历山大·A·德莫科夫 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C30B33/00;C30B23/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了从单晶体衬底(22)的表面清除非晶体氧化物(24)的方法。该方法包含将钝化材料(26)沉积在非晶体氧化物之上。然后将单晶体衬底加热，使得非晶体氧化物层分解成至少一种从该表面释放出来的易失性物质。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 表面 清除 非晶体 氧化物 | ||
【主权项】：
1.一种从单晶体衬底的表面清除非晶体氧化物的方法，该方法包括：将钝化材料沉积在所述非晶体氧化物之上；以及将所述表面加热，使得所述非晶体氧化物层分解成至少一种从所述表面释放出来的易失性物质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于自由度半导体公司，未经自由度半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02822575.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有过载保护的马达电路
- 下一篇：具有串行输入/输出接口的多端口存储器装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
