[发明专利]用于制造含微型元件的薄层的方法有效
| 申请号： | 02822582.1 | 申请日： | 2002-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1586004A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 贝尔纳·阿斯帕尔;克里斯特勒·拉加埃;布律诺·吉瑟朗 | 申请（专利权）人： | 原子能委员会;S·O·I·泰克绝缘体硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 黄必青 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用一基底(1)来制造含微型元件(6)的薄层(5)的方法。所述方法为了每个层体(5)而具体包括如下的步骤：a)依照基底(1)表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底(1)中，通过适当地选择注入深度和所述注入区的几何形状，防止基底(1)的所述表面在步骤b)过程中发生退化；b)在由注入深度限定的基底(1)表面层(5)中加工微型元件(6)；以及c)将基底(1)分离成两个部分，其中一个部分包括表面层(5)，该表面层中含有所述微型元件(6)，另一部分则包括基底(1)的剩余部分。本发明被用于制造要被集成到支撑体上的微型元件，该支撑体不同于用于制出微型元件的基底。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 微型 元件 薄层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法，其借助于一个基底(1)来制造含微型元件(6)的薄层(5)，所述方法的特征在于其为了每个层体(5)而具体包括如下的步骤：a)依照基底(1)表面上形成的多个注入区，将至少一种气态物质局部地注入到所述基底(1)中，通过适当地选择注入深度和所述注入区的几何形状，防止基底(1)的这一表面在步骤b)过程中发生退化；b)在由注入深度限定的基底(1)的表面层(5)中加工微型元件(6)；以及c)将基底(1)分离成两个部分，其中一个部分包括所述表面层(5)，该表面层中含有所述微型元件(6)，另一部分则包括基底(1)的剩余部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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