[发明专利]用于结晶多晶硅的掩膜及利用该掩膜形成薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 02822606.2 | 申请日： | 2002-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1586013A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 姜明求;金縣裁;姜淑映 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 用于形成多晶硅的掩膜包括：第一狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第二狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；第三狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度；以及第四狭缝区域，在此多个水平狭缝图案沿垂直方向排列，同时具有相同的宽度。排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的宽度沿着水平方向顺次以第一狭缝区域的狭缝图案宽度d的倍数比例增加。沿着水平方向排列在第一至第四狭缝区域的狭缝图案的中心位于同一线上。在各自狭缝区域沿垂直方向排列的狭缝图案以8＊d间距彼此隔开。可选地，第一至第四狭缝区域可以相反的顺序排列，或者沿垂直方向排列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结晶 多晶 利用 形成 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅掩膜，包括多个狭缝图案，用于限定照明激光束的透射区域，所述狭缝图案沿预定方向顺次减少或增加宽度。
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