[发明专利]包含金属络合物的可写的大容量光存储介质

摘要

本发明涉及一种包含基材和记录层的光记录介质，其中记录层包含式(I)的络合物,或者，其中Q^2－是式(II)的配体或其互变异构体，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈彼此独立地为H、卤素、氰基、COOR₉、CONHR₉、CONR₉R₁₀、R₉、OR₉、SR₉、NHR₉或NR₉R₁₀，其中R₉和R₁₀彼此独立地为C₆－C₁₀芳基、C₄－C₉杂芳基或者直链或支链C₁－C₂₄烷基、C₃－C₂₄环烷基、C₂－C₂₄烯基、C₃－C₂₄环烯基、C₂－C₂₄炔基、C₁－C₁₂杂环烷基、C₁－C₁₂杂环烯基、C₇－C₂₄芳烯基或C₇－C₂₄芳烷基，每一个都可以是未取代的或者是取代的，对于R₁和R₂、R₃和R

主权项

1.一种包含基材和记录层的光记录介质，其中记录层包含式(Ia){[Q^2-]^.[M^m+]^.[L₁](^.[L₂])_p}Xⁿ_[(2-m)/n]，式(Ib){[Q^2-]^.[M^m+]^.[L₃^-](^.[L₂])_q}Xⁿ_{[(3- m)/n]}或者式(Ic){[Q^2-]^.[M^m+]^.[L₃^-]^.[L₄^-]}Xⁿ_[(4-m)/n]的络合物，其中Q^2-是式(II)的配体或其互变异构体，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈彼此独立地为H、卤素、氰基、COOR₉、CONHR₉、CONR₉R₁₀、R₉、OR₉、SR₉、NHR₉或NR₉R₁₀，其中R₉和R₁₀彼此独立地为C₆-C₁₀芳基、C₄-C₉杂芳基或者直链或支链C₁-C₂₄烷基、C₃-C₂₄环烷基、C₂-C₂₄烯基、C₃-C₂₄环烯基、C₂-C₂₄炔基、C₁-C₁₂杂环烷基、C₁-C₁₂杂环烯基、C₇-C₂₄芳烯基或C₇-C₂₄芳烷基，每一个都可以是未取代的或者是取代的，对于R₁和R₂、R₃和R₄、R₅和R₆以及R₇和R₈来说，它们也可以彼此独立地通过直接键或通过桥O或S键合，M^m+是在最外占据的d-层中有5或者6个电子的过渡金属阳离子，L₁是具有N-C、P-C或者As-C子结构的配体，L₂独立于L₁，是另一种含有至少一个杂原子N、P、As、O、S、Se或者Te的配体，L₃^-是CN^-、SCN^-、NCS^-、OCN^-、NCO^-、N₃^-、L₁-O^-、L₁-S^-、L₁-CO₂^-、L₁-SO₃^-或L₁-PO₃^-，L₄^-独立于L₃^-，是CN^-、SCN^-、NCS^-、OCN^-、NCO^-、N₃^-、L₃-O^-、L₃-S^-、L₃-CO₂^-、L₃-SO₃^-或L₃-PO₃^-，p和q彼此独立地为0或1，Xⁿ_[(2-m)/n]、Xⁿ_[(3-m)/n]，和Xⁿ_[(4-m)/n]均为反荷离子，m是等于M^m+中正电荷的1、2、3或者4，n是-2、-1、+1或者+2，以便使得商(2-m)/n、(3-m)/n和(4-m)/n不为负值。