[发明专利]半导体装置无效
申请号: | 02822917.7 | 申请日: | 2002-11-18 |
公开(公告)号: | CN1589498A | 公开(公告)日: | 2005-03-02 |
发明(设计)人: | 平野博茂;山冈邦吏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 包于俊 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的半导体装置,在形成于半导体基板上的第1配线层中,相邻的配线按照第1配线、第1屏蔽配线的顺序排列,而且在半导体配线基板上形成的第2配线层中,相邻的配线分别按照第2屏蔽配线、第2配线的顺序排列,以与第1配线层的第1配线、第1屏蔽配线分别对应,从而能够使相邻配线的配线间电容降低,而且也能够降低相邻配线之间的噪声,能够不降低信号的动作速度,而且又减少电力消耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有在第1配线层中,第1配线、第2配线,第3配线、以及第4配线形成于第1方向,在所述第1配线层的上层的第2配线层中,第5配线、第6配线、第7配线、以及第8配线形成于所述第1方向,并且,从上面看,所述第5配线、第6配线,第7配线、以及第8配线与所述第1配线、第2配线,第3配线、以及第4以大致没有重叠的结构形成的配线结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的