[发明专利]光接收器件、内置电路型光接收装置及光盘装置有效
| 申请号： | 02822978.9 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1589503A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 森冈达也;林田茂树;谷善彦;大久保勇;和田秀夫 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。 | ||
| 搜索关键词： | 接收 器件 内置 电路 装置 光盘 | ||
【主权项】：
1、一种光接收器件，包括设置在一半导体层(102、302)上的多个光接收部件(103、303)，其中三层以上的透光性膜(105、106、107、306、307、308)设置在所述多个光接收部件(103、303)上以及设置在所述多个光接收部件(103、303)之间的部分上，并且彼此邻接的所述透光性膜的材料彼此不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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