[发明专利]具有到衬底的互连的集成电路及其方法无效
| 申请号： | 02823128.7 | 申请日： | 2002-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1592951A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 道格拉斯·M·雷伯 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有到衬底的互连的集成电路及其方法，其中通过注入栅极介质(46)的选定部分(35)内使栅极介质(46)的选择部分(35)导电而制成源/漏(20)和栅极(26)之间的接触(32)。栅极材料位于整个集成电路(10)上的一个层内。确定栅极(26)要连接到源/漏(20)的区域(32)并且在那些确定的位置(35)处对栅极介质(46)注入使它导电。形成源/漏(20)使得它们在导电的栅极介质(35)的那些区域下面延伸，由此在这些位置处注入后的栅极介质(35)使栅极(26)与源/漏(20)短接。这节约了集成电路(10)上的面积，降低了对互连层的需求，并且避免了与在露出的硅衬底上淀积和蚀刻多晶硅有关的栅极问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 互连 集成电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成电接触的方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成介质层；在介质层上形成导电层；将第一物质注入到介质层的第一部分内以形成导电掺杂的介质；图案化介质层以形成图案化的介质层，其中图案化的介质层包括导电掺杂的介质；以及图案化导电层以形成图案化的导电层，其中部分图案化的导电层电接触导电掺杂的介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
