[发明专利]利用三元铜合金获得低电阻与大颗粒尺寸互连的方法有效
| 申请号： | 02823440.5 | 申请日： | 2002-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1592963A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | S·洛帕京;P·R·贝瑟;P－C·C·王 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造集成电路的方法，系包括沿着横向侧壁与贯孔的底层形成阻障层并于该贯孔中提供三元(temary)铜合金贯孔材料以形成贯孔。该贯孔的形成被用来接收该三元铜合金贯孔材料并电性连接第一传导层与第二传导层。该三元铜合金贯孔材料有助于该贯孔具有较低的电阻以及具有足够颗粒边界的增大颗粒尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 三元 铜合金 获得 电阻 颗粒 尺寸 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路(400)之方法，其包含：沿着横向侧壁与贯孔的底层形成阻障层(440)，该贯孔之形成被用来接收贯孔材料并电性连接第一传导层(410)与第二传导层(420)；以及在该贯孔中提供三元铜合金贯孔材料以形成贯孔(420)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
