[发明专利]在划片格线中形成缺陷预防沟槽无效
| 申请号： | 02823469.3 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1666332A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 罗斯·马利根;军·何;托马斯·马里博;苏珊·梅内塞斯;史蒂文·托尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种对微电子器件晶片进行划片的方法，该方法包括在微电子器件晶片上的至少一个划片格线中形成至少一个沟槽，其中该沟槽防止由于随后利用晶片切割机进行划片而造成在微电子器件晶片互连层中的开裂和/或分层问题。 | ||
| 搜索关键词： | 划片 格线中 形成 缺陷 预防 沟槽 | ||
【主权项】：
1.一种对微电子器件晶片进行划片的方法，包括如下步骤：提供包括有半导体晶片的微电子器件晶片，所述半导体晶片具有设置于其上的互连层，所述微电子器件包括形成于其中并被至少一个划片格线分隔开的至少两个集成电路；在所述至少一个划片格线内形成至少一个穿透所述互连层的沟槽；在所述至少一个划片格线内切穿所述半导体晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02823469.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：顺序熔丝锁存器操作移位寄存器
- 下一篇：在发酵过程中加入单丙二醇
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
