[发明专利]倒装芯片技术中集成电路的制造工艺无效

专利信息
申请号: 02823631.9 申请日: 2002-06-13
公开(公告)号: CN1596465A 公开(公告)日: 2005-03-16
发明(设计)人: 多梅尼克·洛韦尔德;朱塞佩·桑塞斯 申请(专利权)人: 西利纳国际股份公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/288;H01L21/768
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 意大*** 国省代码: 意大利;IT
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摘要: 一种在倒装芯片技术中制造具有在预定的接触区域(23)上形成的接触元件(31)的集成电路的工艺,包括以使所述集成电路(21)的所有接触区域(23)相互连接的方式进行电连接(30)的步骤,对应于每个所述接触区域(23)电沉积接触元件(31)的步骤以及断开接触区域(23)之间的所述电连接(30)的步骤。
搜索关键词: 倒装 芯片 技术 集成电路 制造 工艺
【主权项】:
1.一种集成电路(21)的制造工艺,特别是在预定的接触区域(23)上形成的“倒装芯片”型接触元件(31),特征在于它包括以下步骤:-以使所述集成电路(21)的所有接触区域(23)相互连接的方式进行电连接(30;41,42,43),得到单个电连接体;-在所述电连接体上设置绝缘材料制成的钝化层(24);-去除对应于所述接触区域(23)的所述绝缘材料;-同时电镀设置对应于每个所述接触区域(23)的接触元件(31);以及-断开接触区域(23)之间的所述电连接(30;41,42)。
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