[发明专利]用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法

摘要

(问题)提供使用CVD技术生产氮化硅和氧氮化硅膜的方法，其中所述方法甚至在低温下也能提供可接受的膜形成速度并且不会伴随着大量氯化铵的形成。(解决方案)使用式(R⁰)₃－Si－Si－(R⁰)₃的烃基氨基乙硅烷化合物(I){每个R⁰独立地选自氢原子、氯原子和－NR¹(R²)基团(其中R¹和R²分别独立地选自氢原子和C₁到C₄烃基，前提是R¹和R²不都是氢原子)并且至少一个R⁰是－NR¹(R²)基团}作为氮化硅和氧氮化硅的前体。

主权项

1、通过化学蒸气沉积生产氮化硅膜的方法，其特征是将以下通式的烃基氨基乙硅烷化合物 (R0)3-Si-Si-(R0)3 (I)其中每个R0独立地选自氢原子、氯原子和-NR1(R2)基团，其中R1和R2分别独立地选自氢原子和C1到C4烃基，前提是R1和R2不同时是氢原子，并且至少一个R0是-NR1(R2)基团，和选自氨、肼、烷基肼化合物和叠氮化氢的含氮气体引入装有至少1片基片的反应室中并且在反应温度下通过将烃基氨基乙硅烷化合物与含氮气体反应而在基片上形成氮化硅膜。