[发明专利]半导体功率器件和形成方法有效
| 申请号： | 02823683.1 | 申请日： | 2002-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1636271A | 公开（公告）日： | 2005-07-06 |
| 发明（设计）人： | 雷·L·莫尔卡多;维杰·萨瑞翰;郑勇先生;詹姆斯·J·王;爱德华·普莱克 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 按照一种实施方式，应力缓冲层(40)被形成在功率金属结构(90)与钝化层(30)之间。应力缓冲层(40)通过功率金属结构(90)减小施加于钝化层(30)上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构(130A)被分为多段(1091)，从而通过籽层(1052)和粘附/阻挡层(1050)的剩余部分在各段(1090)之间保持电连续性。独立的多段(1090)施加比相当尺寸的连续功率金属结构(9)更低的峰值应力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在半导体器件衬底(20)上形成第一互连(24)和第二互连(25)；在第一和第二互连(24和25)上形成钝化层(30)；形成通过钝化层的开口(32)，其中第一开口(32)暴露一部分第一互连(24)，而第二开口(32)暴露一部分第二互连(25)；在部分钝化层(30)上形成应力缓冲特征(40)；和在部分应力缓冲特征(40)上形成导电结构(70)，其中导电结构(70)通过第一开口(32)被电连接至第一互连(24)并通过第二开口(32)被连接至第二互连(25)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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