[发明专利]用于光学擦除在制造集成电路过程中累积的电荷的过程无效
| 申请号： | 02823776.5 | 申请日： | 2002-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1596467A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | A·亚诺斯;I·贝里;A·辛诺特;K·斯图尔特 | 申请（专利权）人： | 艾克塞利斯技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于通过光学手段减少集成电路中的电荷累积的过程包括将所述集成电路或者其中部分暴露在宽带辐射源下。该过程有效地减少了在制造集成电路中产生的电荷累积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光学 擦除 制造 集成电路 过程 累积 电荷 | ||
【主权项】：
1.一种用于去除在集成电路的制造期间的电荷累积的过程，该过程包括：将该集成电路曝光在一种强度的宽带辐射图案下一段时间，所述的强度和时间可以有效地减少在集成电路制造期间的电荷累积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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