[发明专利]减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染的方法和装置有效
申请号: | 02823989.X | 申请日: | 2002-10-03 |
公开(公告)号: | CN1605112A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | A·源 | 申请(专利权)人: | 硅谷集团公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B05C11/02;G03F7/00;B05C5/02;B05C11/08;G03F7/30 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周建秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 通过多口喷嘴将不同的处理流体输送到半导体晶片基板上的方法和装置。所述喷嘴具有多个纵向液体歧管和气体歧管。每个歧管定位在喷嘴主体内,从而它们与喷嘴主体中相应的一个单独的入口流体相通。流体入口可以连接到外源,用于接收被散布的处理流体。另外,喷嘴包括多个喷嘴末端,用于将分散液体引导到晶片基板上。每个末端的至少一部分伸出喷嘴的底面,并且同时,末端的至少一部分伸入喷嘴主体内的液体歧管中,形成内部蓄液池。并且,喷嘴底面包括以栅格状图案形成在喷嘴末端之间的沟槽网络,并可以进一步包括多个气孔。所述气孔连接到气体歧管,用以接收增压的气体,从而形成气帘,有助于控制和引导多种处理流体到达晶片基板,减小交叉污染以及从晶片基板上的飞溅。 | ||
搜索关键词: | 减轻 紧邻 表面 液体 分散 喷流 之间 交叉 污染 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于在显影流体模块中散布流体的多口喷嘴,包括:喷嘴主体,具有与至少一个流体入口流体相通的至少一个液体歧管,以及与至少一个气体入口流体相通的至少一个气体歧管;以及用于散布流体的多个管状插头,管状插头定位在喷嘴主体内,其中每个喷嘴插头的至少一部分从所述喷嘴主体中伸出,并且每个喷嘴插头与液体歧管流体相通,允许分散流体从其中通过;其中所述喷嘴主体包括与气体歧管流体相通的气孔网络,该网络充分靠近所选择的喷嘴插头而形成,从而产生气体层,用于减轻从喷嘴插头释放出的分散流体的交叉污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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