[发明专利]用于确定源和漏以及中间间隙的方法无效
| 申请号： | 02824225.4 | 申请日： | 2002-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN1599950A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | M·H·布里斯;M·R·博赫梅 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于制造图形化金属层的方法。该方法包括在衬底上形成单分子层掩模的步骤(106)。该掩模将被用于金属层(108)的选择性无电镀沉积。这样，金属层就会在没有单分子层的区域生长。因此，长出的金属层就能形成薄膜晶体管的中间有间隙的源电极和漏电极，间隙部分的单分子层阻止沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 确定 以及 中间 间隙 方法 | ||
【主权项】：
1.确定薄膜晶体管的中间有间隙的源和漏的方法，包括步骤：在衬底上沉积第一金属层，使用微接触印刷在第一金属层上形成单分子层掩模，沉积第二无电镀金属层，所述第二无电镀金属层选择性地沉积在第一金属层未被单分子层覆盖的区域上，以及除去单分子层和至少被单分子层覆盖的区域中的第一金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02824225.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像处理方法、装置及程序
- 下一篇：用于共生产氮和氧的压力回转吸附方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
