[发明专利]具有改良阻挡层接着力的互连结构有效
| 申请号： | 02824254.8 | 申请日： | 2002-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1599949A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | M·V·恩戈;D·M·霍珀 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L21/324;C23C16/02;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括具有改良阻挡层与介电层的接着力的互连结构，该半导体装置是在含氨及氮的大气中通过对介电层的暴露表面进行激光热退火而形成，并随后沉积钽以形成合成阻挡层。实施例包括形成在内介电层(例如衍生自掺氟四乙基原硅酸盐的含氟二氧化硅)中的双镶嵌开口、在氨及氮中激光热退火该暴露的二氧化硅表面(17)、沉积钽并接着以铜填补该开口。当形成富含氮的表面区域时，在氨及氮中进行激光热退火以减少氟的暴露表面，已沉积的钽与在该富含氮的表面区域中氮起反应以形成包括分级的氮化钽层及α相钽层的合成阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改良 阻挡 接着 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括：在介电层(15、13)中形成开口(16)；在含氮的大气中对该介电层(15、13)的暴露表面(17)进行退火；以及形成包括沿该开口排列的钽的合成阻挡层(20、21)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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