[发明专利]使用聚合物络合剂对铜CMP的方法有效
申请号: | 02824410.9 | 申请日: | 2002-12-03 |
公开(公告)号: | CN1599951A | 公开(公告)日: | 2005-03-23 |
发明(设计)人: | 戴维·J·施罗德;菲利普·卡特;杰弗里·P·张伯伦;凯尔·米勒;艾萨克·K·切里安 | 申请(专利权)人: | 卡伯特微电子公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 贾静环;宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种抛光包含有含铜金属层的基底的方法,所述方法包含有如下步骤:(i)提供化学-机械抛光体系包含有液态载体、抛光垫、研磨剂和带负电荷的聚合物或共聚物,(ii)将该抛光体系与基底接触,和(iii)磨去至少部分基底以抛光基底的金属层。该带负电荷的聚合物或共聚物包含有一种或多种分子量为20,000g/mol或更高的选自磺酸、磺酸化物、硫酸盐、膦酸、膦酸化物和磷酸盐的单体,覆盖在至少部分研磨剂上以至于该研磨剂具有的Z电势值随着带负电荷的聚合物或共聚物与研磨剂发生相互作用而降低。 | ||
搜索关键词: | 使用 聚合物 络合 cmp 方法 | ||
【主权项】:
1.抛光包含有含铜金属层的基底的方法,其中所述方法包含有如下步骤:(i)提供化学-机械抛光体系,包含有:(a)液态载体,(b)抛光垫,(c)研磨剂,和(d)带负电荷的聚合物或共聚物,其中,带负电荷的聚合物或共聚物(i)包含有一种或多种选自磺酸、磺酸化物、硫酸盐、膦酸、膦酸化物和磷酸盐的单体,(ii)具有20,000g/mol或更高的分子量,(iii)覆盖至少部分研磨剂以至于该研磨剂具有的Z电势值随着带负电荷的聚合物或共聚物与研磨剂发生相互作用而降低,(ii)用该化学-机械抛光体系与包含有含铜金属层的基底接触,和(iii)研磨至少部分基底以抛光该基底的金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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