[发明专利]沟槽半导体器件及其制造无效
| 申请号： | 02824431.1 | 申请日： | 2002-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1599959A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | E·A·希泽;M·A·A·恩田赞德特;R·J·E·胡廷 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 包含沟槽(20)中的绝缘沟槽电极(11)的半导体器件中，例如沟槽栅场效应功率晶体管和沟槽肖特基二极管，在沟槽电极(11)的底部(25)和沟槽(20)的底部(27)之间以紧凑的方式提供腔体(23)，以减少沟槽电极(11)和沟槽底部(27)上主体部分之间的介电耦合。在功率晶体管中，介电耦合的减小降低了开关功率的损失，在肖特基二极管中，它使沟槽宽度减小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括沟槽中的绝缘沟槽电极，沟槽在器件的半导体主体部分延伸，其中，沟槽电极通过沟槽侧壁上的绝缘层与主体部分介电耦合，并在沟槽电极的底部和沟槽底部之间有腔体，以减少沟槽电极与沟槽底部的主体部分之间的介电耦合。
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