[发明专利]等离子体产生装置和方法以及RF驱动器电路无效

专利信息
申请号: 02824545.8 申请日: 2002-10-09
公开(公告)号: CN1602563A 公开(公告)日: 2005-03-30
发明(设计)人: J·D·埃文斯;P·A·普日比尔 申请(专利权)人: 等离子控制系统有限责任公司
主分类号: H01Q1/12 分类号: H01Q1/12;H01J1/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 龚海军;王忠忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了用于产生高密度等离子体的方法和系统的部分的一种RF驱动电路和正交的天线组件/布置。该天线组件(105,115,110,120)是正交天线系统,该系统可以由具有适当阻抗匹配的任意RF产生器/电路系统(125,130)驱动来提供低输出阻抗。所公开的RF驱动电路使用开关类型放大器元件并且提供低输出阻抗。所公开的低输出阻抗RF驱动电路省略了对于干扰与等离子体相关的该固有阻抗变化的匹配电路。还公开了选择电容和电感值来提供用于该RF等离子体源的调谐。
搜索关键词: 等离子体 产生 装置 方法 以及 rf 驱动器 电路
【主权项】:
1.一种等离子体产生器系统,包括:至少一个等离子体源,包括等离子体源室,以及具有多个天线振子的天线,每个天线振子包括至少一个环,该环具有环轴,绕公共轴布置所述多个天线振子以便每个环轴基本上与所述公共轴正交,其中定位所述天线以便它可以在所述室内部形成电磁场,以及至少一个耦合到所述多个天线振子的射频电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于等离子控制系统有限责任公司,未经等离子控制系统有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02824545.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top