[发明专利]等离子体蚀刻方法无效
| 申请号： | 02824576.8 | 申请日： | 2002-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1602542A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 永关一也;三村高范;宫岛弘树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种蚀刻方法，该蚀刻方法用于在半导体晶片等的被蚀刻体(212)的表面，形成具有毫米数量级的开口尺寸(R)的凹部(220)。在该方法中，首先在被蚀刻体(212)的表面上形成具有与凹部(220)相对应的开口部分的掩模(214)。接着，形成有掩模(214)的被处理体(212)设置于等离子体用的处理容器内，采用等离子体在处理容器内进行蚀刻。在本发明中，掩模(214)的材料采用与被蚀刻体(212)相同的材料，比如硅(Si)。由此，上述那样的凹部(220)按照实质上底面(222)不形成副沟槽形状(周缘部的深度大于中间部的，经蚀刻的形状)的方式形成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在被蚀刻体的表面形成凹部的蚀刻方法，其特征在于，通过形成于所述被蚀刻体的表面的掩模的开口部分，借助等离子体蚀刻形成所述凹部，并且，所述被蚀刻体的至少形成所述凹部的部分的材料，与所述掩模的至少所述开口部分周边的材料均为硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02824576.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：医疗用投药器具
- 下一篇：纳米抗菌杀毒环保节能空调器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
