[发明专利]等离子体处理装置无效
申请号: | 02824694.2 | 申请日: | 2002-11-25 |
公开(公告)号: | CN1602543A | 公开(公告)日: | 2005-03-30 |
发明(设计)人: | 河西繁;山本伸彦;足立光;长田勇辉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/302;H05H1/46;H01P5/00;H01J27/16;H01J37/08;C23C16/511;C23F4/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种等离子体处理装置,可通过使匹配电路小型化而在密封盖部上一体化装载微波发生源等。等离子体处理装置,其特征在于,包括:可抽为真空的处理容器(42);载放台(44),设置在上述处理容器内,载放被处理体;微波透过板(70),设置在上述处理容器的顶部的开口部;平面天线部件(74),用于经上述微波透过板将微波供给上述处理容器内;密封盖体(78),接地,使其覆盖上述平面天线部件的上方;波导管(82),将来自微波发生源的微波导入到上述平面天线部件;部件升降机构(85),相对改变上述天线部件和上述密封盖体间的上下方向上的距离;调谐棒(104),设置成可插入到上述波导管内;调谐棒驱动机构(102),移动上述调谐棒能够调整其插入量;匹配控制部(114),通过控制上述平面天线部件的升降量和上述调谐棒的插入量来进行匹配调整。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:可抽为真空的处理容器;载放台,设置在所述处理容器内,载放被处理体;微波透过板,设置在所述处理容器的顶部的开口部;平面天线部件,用于经所述微波透过板将微波供给所述处理容器内;密封盖体,接地,使其覆盖所述平面天线部件的上方;波导管,将来自微波发生源的微波导入到所述平面天线部件;部件升降机构,相对改变所述天线部件和所述密封盖体间的上下方向上的距离;调谐棒,设置成可插入到所述波导管内;调谐棒驱动机构,移动所述调谐棒能够调整其插入量;匹配控制部,通过控制所述平面天线部件的升降量和所述调谐棒的插入量来进行匹配调整。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造