[发明专利]二极管电路及其制造方法有效
| 申请号： | 02824753.1 | 申请日： | 2002-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN1602552A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | C·阿伦斯;W·哈通;H·霍耶尔曼恩;R·洛塞汉德;J·－P·沙弗 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L27/06;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及二极管电路及其制造方法。一种二极管电路，包括一pin二极管结构(10)，其中n半导体层是一埋入层(32)，于其上通过外延淀积方法沉积i区域(34)，且其中一p半导体层(36)被导入外延淀积层内。p半导体层的接触(38)以及n半导体层(32)的接触(44，46)被设置于半导体基板(20)的相同的主表面上，使得具有一集成电容(14)，一集成电阻(12)及/或一集成电感(16)的集成是可能的。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管电路，包括：一半导体基板，具有一主表面，其中该半导体基板包括：一第一掺杂型态(p)之一第一半导体层(36)；一第二掺杂型态(n)之一第二半导体层(32)；以及一第三半导体层(34)设置于该第一与该第二半导体层之间，其自由电荷之浓度小于该第一及该第二半导体层之自由电荷浓度，其中该第二半导体层(32)系被埋入该半导体基板(20)之内之一层，其中该第一半导体层(36)系分布于该半导体基板(20)之该主表面之上；一第一接触(38)，用于设置于该半导体基板之该表面上之该半导体层(36)之接触；以及一第二接触(44，46)，用于该埋入层(32)之接触，其中该接触从该半导体基板(20)之该主表面延伸至该埋入层(32)。
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