[发明专利]制作高宽高比的电极的方法无效
申请号: | 02824907.0 | 申请日: | 2002-11-18 |
公开(公告)号: | CN1605129A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | H·G·古德森 | 申请(专利权)人: | 薄膜电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41;H01L21/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 龚海军;陈景峻 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 在包括致密排列的平行电极(ε宽高比的电极的方法中,以重复执行的连续加工步骤序列制作该电极,该连续的加工步骤序列在每个构图步骤中使用仅仅一个和同一光掩模,重复该序列数次就能形成具有需要的宽高比的电极,并且在最后的加工步骤中平面化该电极装置的上表面。 | ||
搜索关键词: | 制作 高宽高 电极 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在包括致密排列的平行电极(ε1,ε2)的电极装置(E)中制作高宽高比的电极的方法,其中所述方法包括连续的加工步骤:a)在衬底(1)上沉积高度为h的第一整体层电极材料(ε),b)构图所述电极材料(ε)以形成所述电极装置(E)的第一平行电极(ε1),所述第一电极(ε1)具有宽度w、高度h,并且被宽度为d的凹槽(2)分开,其中所述方法的特征在于包括连续的进一步的加工步骤:c)使用厚度为δ的阻挡层来覆盖第一电极(ε1),δ是宽度w的几分之一,由此凹槽(2)的宽度d变成等于2w+2δ,d)在具有阻挡层(3)的第一电极(ε1)上沉积第二整体层电极材料(ε)并且填充所述凹槽(2),e)构图所述第二层电极材料(ε),以在电极(ε1)之间的凹槽(2’)中形成所述电极装置(E)的第二平行电极(ε2),并且阻挡层(3)覆盖电极(ε1),所述第二电极(ε2)在所述第一电极(ε1)上延伸到高度H-h并且通过阻挡层(3)而被绝缘,随后根据需要分别对第一和第二电极(ε1,ε2)交替地执行加工步骤c)-e)的序列,直到在执行n次连续的加工步骤c)-e)序列之后在最后的加工步骤中获得了所有电极的所希望的宽高比(n+1)(H-h)/w,最后的加工步骤包括施加电极材料以获得高度近似等于(n+1)(H-h)的电极(ε1,ε2),然后在平面化加工中除去多余的电极材料(ε)。
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