[发明专利]衬底处理方法及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 02824972.0 | 申请日： | 2002-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN1633702A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 菅原卓也;松山征嗣;佐佐木胜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将形成有半导体元件的用于电子器件的衬底曝露于氢基(包括重氢基)中的衬底处理方法，在所述方法中，通过等离子体来激发所述氢基，所述等离子体是向平面天线辐射微波而形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理方法，该方法将形成有半导体装置的用于电子器件的衬底曝露于含有氢基及氢离子的气氛中，其特征在于，所述氢基及氢离子是通过对含有稀有气体及氢气的处理气体进行等离子体激发而形成的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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