[发明专利]有源区中含铟的垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 02825313.2 | 申请日： | 2002-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN1605140A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | R·H·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;张志醒 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 量子阱和相关的垒层，包含在典型的GaAs衬底中或周围的氮(N)、铝(Al)、锑(Sb)、磷(P)和/或铟(In)，以获得长波长的VCSEL性能，如1260至1650nm范围的波长。根据本发明的特点，公开了包含至少一个由InGaAs组成的量子阱(11)、位于所述至少一个量子阱(11)两边的GaAsN垒层(12)和位于所述垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)的垂直腔面发射激光器。也可给位于量子阱(11)的GaAsN垒层(12)两边和位于垒层(12)两边的AlGaAs限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。也可给位于至少一个量子阱(11)两边的AlGaAs垒层(12)和位于垒层(12)两边的GaAsN限制层(13)配置InGaAs量子阱(11)。使量子阱(11)具有50的厚度。也可使量子阱(11)具有至少40meV的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 区中含铟 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种垂直腔面发射激光器，包括：至少一个量子阱(11)，具有至少40meV的深度并包含InCaAs；GaAsN垒层(12)，位于所述至少一个量子阱(11)两边；以及限制层(13)，位于所述垒层(12)两边。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02825313.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
