[发明专利]决定集成电路ESD/闩锁强度之方法无效
| 申请号： | 02825433.3 | 申请日： | 2002-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1633710A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | S·巴格斯特德－弗兰克;K·埃斯马克;H·格斯纳;P·里斯;W·斯塔德勒;M·斯特雷尔;M·温德尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/316;G01R31/26;G01R31/27 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种决定集成电路ESD/闩锁强度之方法，具有以下步骤：藉由相同的制程步骤联合产生一集成电路(1，2)及一测试结构(N3)，于该测试结构(N3)上之电子参数之测量，从该被测量之参数值导出特性值，该等特性值显示被指派给该集成电路(1，2)之一ESD或闩锁特性曲线之特征，以及测试该等特性值于各情况下是否位于被指派予它们之一预定范围内，该范围被选择因此如果该等特性值于各情况下系位于它们的范围之内，出现一想要的ESD/闩锁强度。 | ||
| 搜索关键词： | 决定 集成电路 esd 强度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种决定集成电路ESD/闩锁强度之方法，具有以下步骤：藉由相同的制程步骤联合产生一集成电路(1，2)及一测试结构(N3)，于该测试结构(N3)上之电子参数之测量，一DC电压或一DC电流被施加于该测试结构(N3)之一测试组件上用以测量至少一该参数且该一参数之数值于各情况下系由该DC电流或该DC电压所决定；从该被测量之参数导出特性值，该特性值显示被指派给该集成电路(1，2)之一ESD或闩锁特性曲线之特征，以及测试该等特性值是否于各情况下位于被指派予它们之一预定范围内，该范围被选择因此如果该等特性值于各情况下系位于它们的范围之内，出现一想要的ESD/闩锁强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02825433.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：乙烯（共）聚合物及其用途
- 下一篇：空间加热器
