[发明专利]异质结双极晶体管的结构及方法有效
| 申请号： | 02825577.1 | 申请日： | 2002-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1628383A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | R·S·伯顿;A·萨梅利斯;H·育西克 | 申请（专利权）人： | 空间工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L31/0328 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 谢喜堂 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 按照一个公开的实施例，形成重掺杂的子集电极(210)。接着，在重掺杂的子集电极(210)之上制造集电极(230)，其中集电极(230)包括邻近子集电极(210)的中等掺杂的集电极层(232)和在中等掺杂的集电极层(232)上面的低掺杂的集电极层(234)。中等掺杂的集电极层(232)和低掺杂的集电极层(234)包括分别掺杂了近似5×1016cm－3到近似1×1018cm－3的硅的GaAs，和掺杂了近似1×1016cm－3到近似3×1016cm－3的硅的GaAs。此后，在集电极(230)上生长基极(212)，在基极(212)上淀积发射极(214)。HBT的集电极(230)防止耗尽区到达不过度阻止耗尽区扩展的子集电极(210)，。结果，阻止了子集电极(210)中的丝化现象，但是HBT的性能保持最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造HBT的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：形成子集电极；在所述子集电极上制造集电极，所述集电极包括邻近所述子集电极的中等掺杂的集电极层和在所述中等掺杂的集电极层之上的低掺杂的集电极层；在所述集电极上生长基极；在所述基极上淀积发射极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
