[发明专利]通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔有效
| 申请号： | 02825735.9 | 申请日： | 2002-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1606798A | 公开（公告）日： | 2005-04-13 |
| 发明（设计）人： | W－J·齐;J·G·培勒因;W·G·恩;M·W·迈克尔;D·A·陈 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/318;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法，于基材(20)上形成闸电极(22)并于该基材(20)与闸电极(22)上形成多晶硅再氧化层(26)。沉积氮化物层(28)于该多晶硅再氧化层(26)上并予以非等向蚀刻。该蚀刻终止于该多晶硅再氧化层(26)上，并随之形成氮化物偏移间隔(30)于该闸电极(22)上。当允许形成该偏移间隔(30)时，该多晶硅再氧化层(26)被用作为蚀刻终止层借以防止该氮化物层(28)下的硅基材(20)受到破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 应用 氧化 作为 蚀刻 终止 最小化 硅凹部 氮化物 偏移 间隔 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，其包含：形成闸电极(22)于基材上(20)；形成多晶硅再氧化层(26)于该基材(20)与该闸电极(22)上；沉积氮化物层(28)于该多晶硅再氧化层(26)上；以及非等向性的蚀刻该氮化物层(28)并终止于该多晶硅再氧化层(26)借以形成氮化物偏移间隔(30)于该闸电极(22)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
