[发明专利]电子器件和光电器件的电极结构有效
| 申请号： | 02825769.3 | 申请日： | 2002-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1871876A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 桑托斯·F·阿尔瓦拉多;蒂尔曼·A·贝耶尔莱恩;布莱恩·克龙;尤特·德雷克斯勒;罗兰·W·杰曼;西格弗里德·F·卡格;彼得·米勒;黑克·赖尔;沃尔特·里斯;比特·鲁斯塔勒;保罗·塞德勒;罗兰·W·威德默 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H05B33/22 | 分类号： | H05B33/22;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子器件和光电器件的电极结构。这种器件包括：实质上具有导电层(204)的第一电极，形成在该导电层之上非金属层(206)，形成在该非金属层之上碳氟化合物层(208)，形成在所述结构上的结构(210)。所述电极还可以包括在导电层和非金属层之间的缓冲层(205)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 光电 器件 电极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：实质具有导电层的第一电极(204，304)；形成在该导电层(204，304)之上的非金属层(206，306)；形成在该非金属层(206，306)之上的碳氟化合物层(208，308)；形成在该碳氟化合物层(208，308)之上的结构(210，310)；以及形成在该结构(210，310)之上第二电极(220，311，330)。
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