[发明专利]乘法器无效
| 申请号： | 02826129.1 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1608272A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 平林敦志;小森健司 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G06G7/16 | 分类号： | G06G7/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了补偿偏置电压的变动等，使用了MOS晶体管的现有乘法器有必要在输出部等处附加复杂的校正用电路，有在增大电路规模的同时增加功耗的问题。在本发明的乘法器中，具有NMOS晶体管(3、4、5)和分别与NMOS晶体管(3、4、5)的栅连接的恒定电压源(6、9、12)的结构，假定恒定电压源(9)的电压值与恒定电压源(12)的电压值相同，NMOS晶体管(4)与NMOS晶体管(5)被同样地形成。 | ||
| 搜索关键词： | 乘法器 | ||
【主权项】：
1.一种乘法器，其特征在于：具有以下结构：第1MOS晶体管；漏与上述第1MOS晶体管的源连接的第2MOS晶体管；以及漏与上述第1MOS晶体管的源连接的第3MOS晶体管，与上述第1MOS晶体管的栅连接的第1电压源；与上述第2MOS晶体管的栅连接的第2电压源；以及与上述第3MOS晶体管的栅连接的第3电压源，上述第2MOS晶体管和上述第3MOS晶体管以具有大体相同的漏电流系数的方式而形成，假定上述第2电压源的电压值与上述第3电压源的电压值大体相同，上述第1MOS晶体管至上述第3MOS晶体管的全部都是作为NMOS晶体管或PMOS晶体管中的某一种MOS晶体管而被给出的。
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