[发明专利]用于垂直腔表面发射激光器的非对称分布布拉格反射器无效
| 申请号： | 02826188.7 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1613170A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | S·S·维拉里尔;R·H·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 菲尼萨公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种适用于垂直腔表面发射激光器的非对称分布布拉格反射器(DBR)。该非对称DBR包含具有不同折射率的堆叠式材料层，使用非对称过渡区域将这些材料层连接起来，其中在过渡区域内的过渡阶梯具有不同的材料组成、不同的掺杂程度以及不同的层厚度。相邻的过渡区域具有不同的过渡阶梯。较薄的过渡区域的掺杂程度相对较高并且位于DBR内的光驻波在该处具有低场强的位置处。较厚的过渡区域的掺杂程度相对较低并且位于光驻波在该处具有相对较高场强的位置处。有益地是，在AlxGa (1－x) As材料系统中，堆叠式材料层是AlAs和GaAs的交替层。其它材料系统将采用其它交替层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 表面 发射 激光器 对称 分布 布拉格 反射 | ||
【主权项】：
1.一种分布布拉格反射器，包含：包含第一二元组成和具有第一折射率的掺杂第一半导体层；包含第二二元组成和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的掺杂第二半导体层；以及夹在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的第一过渡区域，其中所述第一过渡区域包含多个具有多个厚度和多个掺杂程度的掺杂第一过渡半导体层。
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