[发明专利]CORAL膜片上蚀刻及剥离后残留物的脱除方法无效
| 申请号： | 02826268.9 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1608311A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | K·米克海利琴科;M·拉夫金;J·德拉里奥斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;庞立志 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于半导体晶片的清洗方法，包括将一种特征等离子蚀刻入至具有光致抗蚀剂掩模的低K介电层中，此处等离子蚀刻产生蚀刻残留物(图4，204)。这种方法也包括磨光该半导体晶片，脱除在磨光形成磨光残留物处的光致抗蚀掩膜(图4，206)。此方法还包括脱除在低K介电层上的蚀刻残留物和磨光残留物，在此用一种施加有包括清洗化学品和润湿剂的流体混合物的湿刷子，擦洗该半导体晶片的低K介电层，增强了这种脱除(图4，208)。 | ||
| 搜索关键词： | coral 膜片 蚀刻 剥离 残留物 脱除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗半导体晶片的方法，包括：将一种特征等离子蚀刻至具有光致抗蚀剂掩模的低K介电层中，此等离子蚀刻产生蚀刻残留物；对此半导体晶片进行磨光，脱除光致抗蚀剂掩模，此磨光产生磨光残留物；和脱除低K介电层上的蚀刻残留物和磨光残留物，并用加有包括清洗化学品和润湿剂的流体混合物的一种湿刷子，擦洗该半导体晶片的低K介电层，增强这种脱除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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