[发明专利]在原位干涉量测终点侦测及非干涉量测终点监控中执行氮化物垫片蚀刻工艺的方法与设备无效
| 申请号： | 02826533.5 | 申请日： | 2002-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN1633707A | 公开（公告）日： | 2005-06-29 |
| 发明（设计）人： | 周文彬;程士远;杜文江 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是提供一种栅极结构的垫片的制造方法。此方法实施利用第一蚀刻剂气体的第一蚀刻操作。此第一蚀刻操作被设置为利用干涉量测终点(IEP，Interferometry Endpoint)侦测法来检测具有一特定厚度之垫片层的一部分从基板表面上去除的状况，如此留下一垫片薄层。此方法还包含实施利用第二蚀刻剂气体并持续一预定时间的第二蚀刻操作。此第二蚀刻操作被设置为去除垫片薄层而留下栅极结构的垫片。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 干涉 终点 侦测 监控 执行 氮化物 垫片 蚀刻 工艺 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种栅极结构的垫片的制造方法，包含：实施利用第一蚀刻剂气体的第一蚀刻操作，该第一蚀刻操作被设置为利用干涉量测终点(IEP)侦测法来检测具有一特定厚度的垫片层的一部分的去除状况；一去除该垫片层的该部分就停止该第一蚀刻操作而留下一垫片薄层；实施利用第二蚀刻剂气体的第二蚀刻操作，该第二蚀刻操作被用来去除该垫片层；及在第二蚀刻操作已持续一段预定时间之后停止该第二蚀刻操作；其中第二蚀刻操作被设置为去除垫片薄层而留下栅极结构的垫片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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