[发明专利]用于制造具有包括用快速扩散形成的掺杂柱体的电压维持区的高压功率MOSFET的方法

摘要

一种制造具有电压维持区的高压功率MOSFET的方法，电压维持区包括通过快速扩散形成的掺杂柱体(410)。半导体器件具有衬底(402)、外延层(401)和形成在外延层(401)中的电压维持区，电压维持区包括沿已填充沟槽的至少外部侧壁形成的柱体(410)，柱体(410)包括第一、第二和第三扩散区，第一扩散区具有比第二扩散区的结深度深的结深度，第三扩散区从外延层表面延伸以贯穿第一和第二扩散区之一。

主权项

1、一种形成高压半导体器件的方法，包括如下步骤：A.提供第一或第二导电类型的衬底；B.在所述衬底上形成电压维持区，按如下步骤：1.在衬底上淀积外延层，外延层具有第一导电类型；2.在所述外延层中至少形成一个沟槽；3.沿所述沟槽的内壁淀积阻挡材料；4.通过阻挡材料把第二导电类型的掺杂剂注入接近和低于所述沟槽底部的一部分外延层中；5.扩散所述掺杂剂以在所述外延层中形成第一掺杂层；6.至少从沟槽的底部除去阻挡材料；7.刻蚀沟槽穿通第一掺杂层到更大的深度并且重复步骤(B.3)-(B.5)以垂直地在所述第一掺杂层下面形成第二掺杂层；8.从沟槽表面除去阻挡材料；9.沿沟槽的内壁淀积扩散促进材料，在淀积的材料中的所述注入掺杂剂具有比电压维持层的外延层中高的扩散系数；10.使所述掺杂剂扩散进扩散促进材料，使得所述掺杂剂扩散进所述第一和第二掺杂层之间的沟槽的侧壁；11.在所述沟槽中淀积填充材料以基本填充沟槽；以及C.在所述电压维持区上方形成接触所述电压维持区的所述第二导电类型的至少一个区。