[发明专利]用于非易失性存储器的升压器有效
| 申请号： | 02826593.9 | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1610946A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 潘锋;坎德克尔·N·夸德尔 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明在设计中用一种升压带的方法来提高开关的运行性能，该方法特别有利于在低电压电路中提供高电压。一个原生性NMOS晶体管，一个PMOS晶体管，和一个电容在高压电压源和输出端间串联在一起，其中，原生性NMOS的栅极与输出端连接。在一个初始化阶段，电容的与输出端相连接的电极通过接收输入信号而被预充电，同时离输出端较远的另一极保持地电压。在随后的触发阶段，原生性NMOS和PMOS晶体管被开启，高电压值被加在输出端。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性存储器 升压 | ||
【主权项】：
1.一个响应一个输入信号，为一个输出端提供一个源自于电压源的电压的电路，包括：一个连接在电压源和第一节点间的原生性NMOS晶体管，其有一个通过被连接以接收输入信号的第三节点与输出端连接的控制栅极；一个连接在第一节点和第二节点的间PMOS晶体管；和一个连接第二节点和输出端的电容，输出端被连接用以在第二节点接收一个经过延时的输入。
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