[发明专利]布线结构、利用该布线结构的薄膜晶体管基片及其制造方法无效
| 申请号： | 02826607.2 | 申请日： | 2002-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1610859A | 公开（公告）日： | 2005-04-27 |
| 发明（设计）人： | 赵范锡;郑敞午 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。栅极绝缘层覆盖该栅极布线。在该栅极绝缘层上形成半导体图案。在该栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在该数据布线上形成钝化层。在该钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线和数据布线包括三层，即粘合层、含银层、以及钝化层。粘合层由Cr、Cr合金、Ti、Ti合金、Mo、Mo合金、Ta、Ta合金中的一种组成，含Ag层由Ag或Ag合金组成，而钝化层由IZO、Mo、Mo合金、Cr、及Cr合金中的一种组成。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 结构 利用 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片；第一信号线，在所述绝缘基片上形成；第一绝缘层，在所述第一信号线上形成；第二信号线，在所述第一绝缘层上形成并与所述第一信号线交叉；薄膜晶体管，与所述第一信号线及所述第二信号线电连接；第二绝缘层，在所述薄膜晶体管上形成并具有露出所述薄膜晶体管的电极的第一接触孔；像素电极，在所述第二绝缘层上形成并通过所述第一接触孔与所述薄膜晶体管的所述电极连接，其中所述第一信号线和所述第二信号线中至少一个包括三层，即粘合层、含Ag层、和钝化层。
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