[发明专利]臭氧处理装置无效
申请号: | 02826680.3 | 申请日: | 2002-11-28 |
公开(公告)号: | CN1613144A | 公开(公告)日: | 2005-05-04 |
发明(设计)人: | 菊池辰男;山中健夫;山口征隆;金山登纪子 | 申请(专利权)人: | 住友精密工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/302;C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是关于一种臭氧处理装置,是对半导体基板或液晶基板等的基板表面吹送臭氧气体,来进行氧化膜的形成或改性、抗蚀膜的去除等处理。臭氧处理装置1,是由用以载置基板K的载置台20,用以将载置台20上的基板K加热的加热装置,与载置台20上的基板K呈对向配置、且具有开口于与基板K对向的面并将臭氧气体朝基板K喷出的喷出口的多个对向板40,以及对各对向板40的喷出口供给臭氧气体而使得气体喷出气体供给装置60所构成。各对向板40是以邻接的对向板40间形成间隙的方式配置在同一平面内。对向板40的体积小,即使对向板40与基板K之间发生热移动,由于对向板40与基板K可在短时间达成热平衡状态,所以基板K的温度管理变得容易。 | ||
搜索关键词: | 臭氧 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种臭氧处理装置,其特征在于,是设置以下部分而构成:载置台,是用以载置基板;加热机构,是用以将所述载置台上的基板加热;对向板,是与所述载置台上的基板呈对向配置,同时具有开口于与所述基板对向的面、并将含有臭氧的处理气体朝所述基板喷出的多个喷出口,和设于所述喷出口间、表里贯通的贯通孔;以及气体供给机构,是对所述对向板的各喷出口供给所述处理气体而使得气体喷出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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