[发明专利]硼掺杂的金刚石有效
| 申请号： | 02826749.4 | 申请日： | 2002-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1612955A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | G·A·斯卡斯布鲁克;P·M·玛缇尼奥;D·J·特维臣;A·J·怀特黑德;M·A·库珀;B·S·C·多恩 | 申请（专利权）人： | 六号元素有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/10 | 分类号： | C30B25/10;C30B29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 宁家成 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了通过CVD生产且具有均匀的总硼浓度的单晶硼掺杂金刚石层。该层由单一生长面形成，或具有超过100微米的厚度，或具有超过1mm3的体积，或这些特征的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 金刚石 | ||
【主权项】：
1.通过CVD生产的单晶硼掺杂金刚石层，其中总的硼浓度是均匀的，在小于50微米的各测量点横向分辨率下测量得到的、在大部分体积内的变化小于50％，其中大部分体积占该层总体积的至少70％，并且其中该层具有下列特征(i)-(iii)中的至少一种：(i)该层由单一的生长面形成，(ii)该层厚度超过100微米，和(iii)该层的体积超过1mm3。
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