[发明专利]编程非易失存储器器件有效
| 申请号： | 02826781.8 | 申请日： | 2002-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1613118A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 凯丽·特德罗;保罗·鲁比;丹尼尔·埃尔姆赫斯特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 编程非易失存储器器件包括识别数据缓冲器中用于存储多个阈值电压电平中特定一个的地址，每一个电平由唯一的信号模式表示，然后对与所识别的地址相关联的阵列存储器单元施加脉冲以将阵列存储器单元编程为所述特定的阈值电压电平。对每一个阈值电压电平重复进行识别和施加脉冲。随后校验每个阵列存储器单元是否被编程为正确表示该单元对应的信号模式的阈值电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 非易失 存储器 器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：识别数据缓冲器中用于存储多个阈值电压电平中特定一个的地址，每一个所述电平由唯一的信号模式表示；对与所述所识别的地址相关联的阵列存储器单元施加脉冲以将所述阵列存储器单元编程为所述特定的阈值电压电平；对每一个所述阈值电压电平重复所述识别步骤和所述施加脉冲步骤；以及随后校验每个阵列存储器单元是否被编程为正确表示该单元对应的信号模式的阈值电压电平。
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