[发明专利]等离子体反应用气体、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 02826800.8 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1613143A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 菅原充;山田俊郎;杉本达也;田中公章 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 庞立志 |
| 地址： | 日本东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 含有碳原子数5或6的链状全氟炔烃、优选全氟－2－戊炔的等离子体反应用气体。该等离子体反应用气体适用于通过干式蚀刻形成微细图案、通过CVD形成薄膜和灰化。上述等离子体反应用气体可通过使二氢氟烷烃化合物或一氢氟烯烃化合物与碱性化合物接触合成。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 应用 气体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.等离子体反应用气体，其特征在于含有下式(1)所示化合物： R1-C≡C-R2 (1)式中，R1为氟或碳原子数1-3的全氟烷基或碳原子数2-3的全氟烯基，R2为碳原子数1-4的全氟烷基、碳原子数2-4的全氟烯基或碳原子数2-4的全氟炔基；但R1和R2中的碳原子数合计为3或4，R1和R2可以相同，也可以不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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