[发明专利]半导体结构化工艺有效
| 申请号： | 02826867.9 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1613155A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 克劳斯·约翰尼斯·韦伯;安德鲁·威廉姆·布莱克斯 | 申请（专利权）人： | 源太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含：在所述表面上涂敷一个保护物质层，其中，所述层足够薄，具有多个穿过其中的窗口；以及采用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，接触所述层和所述半导体材料，在所述半导体材料在所述窗口附近被所述腐蚀剂腐蚀从而在所述半导体材料上产生结构化表面、但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料进行一定时间的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 化工 | ||
【主权项】：
1.一种用来对半导体材料表面进行结构化的工艺，此工艺包含：在所述表面上涂敷一个保护物质层，其中，所述层足够薄，并具有多个穿过其中的窗口；以及采用能够对所述半导体材料比对所述保护物质腐蚀得更快的腐蚀剂，接触所述层和所述半导体材料，在所述半导体材料在所述窗口附近被所述腐蚀剂腐蚀从而在所述半导体材料上产生结构化表面、但所述保护物质基本上未被腐蚀的条件下，所述腐蚀剂至少通过所述窗口与所述半导体材料进行一定时间的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
