[发明专利]具有三层横梁的MEMS器件及其相关方法有效
| 申请号： | 02826914.4 | 申请日： | 2002-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1613128A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·J·坎宁安;达纳·R·德吕斯;苏巴哈姆·塞特;斯韦特兰娜·塔蒂克－卢奇克 | 申请（专利权）人： | 图恩斯通系统公司;维斯普瑞公司 |
| 主分类号： | H01H57/00 | 分类号： | H01H57/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种悬挂在基板(102)上的活动的、三层微元件(108)，并且包括第一导电层(116)，将该第一导电层构图限定活动电极(114)。用间隙将基板(102)与第一金属层(116)分开。微元件(108)还包括在第一金属层(116)上形成并且一端相对于基板(102)固定的电介质层(112)。此外，微元件(102)包括在介质层(112)上形成的第二导电层(120)，并且构图限定与活动电极(114)电连接的电极互连(124)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 三层 横梁 mems 器件 及其 相关 方法 | ||
【主权项】：
1、一种悬挂于基板上的活动的、三层微元件，该微元件包括：(a)第一导电层，将该导电层构图以限定活动电极，第一导电层与基板分开一个间隙；(b)在第一导电层上形成的电介质层，并且包括至少一个相对于基板固定的端部；以及(c)在电介质层上形成的第二导电层，并且该第二导电层被构图来限定与活动电极电连接的电极互连。
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