[发明专利]三层横梁MEMS器件及相关方法

摘要

一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。

主权项

1、一种制造三层横梁的方法，包括：(a)在衬底上淀积一个牺牲层；(b)在该牺牲层上淀积第一导电层；(c)通过除去该第一导电层的一部分而形成第一导电微型结构；(d)在该第一导电微型结构和该牺牲层上淀积一个结构层；(e)形成穿过该结构层到达该第一导电微型结构的通路；(f)在该结构层上和该通路中淀积第二导电层；(g)通过除去该第二导电层的一部分形成第二导电微型结构，其中该第二导电微型结构通过该通路与该第一导电微型结构进行电通信；和(h)除去足够量的该牺牲层，以分隔该第一导电微型结构和该衬底，其中该结构层在第一端由该衬底支撑，并且在相对的第二端，该结构层自由悬挂在该衬底之上。