[发明专利]用于溅射和再溅射的自离子化及电感耦合等离子体有效
| 申请号： | 02827101.7 | 申请日： | 2002-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1656243A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | P·丁;R·陶;Z·徐;D·C·吕本;S·伦加拉简;M·A·米勒;A·孙达拉简;X·唐;J·C·福斯特;J·傅;R·C·莫斯利;F·陈;P·戈帕尔拉亚 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C25D5/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种磁控管溅射反应器(410)及其使用方法，其中促进SIP溅射和ICP溅射。公开在另一室(412)中，沿着磁控管溅射反应器从靶朝向晶片一侧上的侧壁(414)定位的辅助磁体阵列。磁控管(436)优选为具有包围第二磁极性的较弱内部磁极(440)的第一磁极的较强外部磁极(442)的小磁控管，所有的磁极在轭(444)尚且关于室的轴(438)利用旋转装置(446、448、450)旋转。辅助磁体(462)优选具有第一磁极性以将不平衡的磁场(460)拉向晶片(424)，晶片在供有功率(454)的底座(422)上。通过阀(428)供给氩(426)。靶(416)供有功率(434)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 溅射 离子化 电感 耦合 等离子体 | ||
【主权项】：
1、一种将金属沉积在孔中的方法，所述孔具有至少4∶1的纵横比并在衬底的电介质层中形成，该方法包括：在室中的电感耦合等离子体中，将包括金属的沉积材料溅射沉积到所述孔中；和在室中的自离子化等离子体中，将包括金属的沉积材料溅射沉积到所述孔中。
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