[发明专利]非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法

摘要

本发明系关于一种非易失双晶体管半导体存储单元及其制造方法，选择晶体管(AT)及存储晶体管(ST)的源极及漏极区域(2)形成于衬底(1)。该存储晶体管(ST)具第一绝缘层(3)、电荷储存层(4)、第二绝缘层(5)及存储晶体管控制层(6)，然而该选择晶体管(AT)具第一绝缘层(3’)及选择晶体管控制层(4*)。藉由使用该电荷储存层(4)与该选择晶体管控制层(4*)的不同材料，可藉由适应该衬底掺杂显著改良该存储单元的电荷留置性质，且电性质维持相同的。

主权项

1.一种非易失双晶体管半导体存储单元，其具具预先决定的阈值电压的存储晶体管(ST)，其具拥有位于其间的沟道区域的源极及漏极区域(2)于衬底(1)、第一存储晶体管绝缘层(3)、电荷储存层(4)、第二存储晶体管绝缘层(5)及存储晶体管控制层(6)形成于该沟道区域的表面；及具预先决定的阈值电压的选择晶体管(AT)，其具拥有位于其间的沟道区域的源极及漏极区域(2)于衬底(1)、第一选择晶体管绝缘层(3’)及选择晶体管控制层(4*)形成于该沟道区域的表面，其特征在于对该存储晶体管(ST)及该选择晶体管(AT)的阈值电压(Vth)的独立最适化，该选择晶体管控制层(4*)与该电荷储存层(4)不同地形成。